Параметры транзисторов

Параметры транзистора ГТ308.

Тип
прибора

Структура

Pкmax
P*к.τ max
P**к.и max
[ мВт ]

fгр, f*h216
f**h21э
f**max
[ МГц ]

Uкбо max
U*КЭR max
U** КЭО max
[ В ]

Uэбо max

[ В ]

ГТ308А
ГТ308Б
ГТ308В
ГТ308Г

p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p

150 (360*)
150 (360*)
150 (360*)
150 (360*)

≥90
≥120
≥120
≥120

20
20
20
20*

3
3
3
3

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо IКЭR I* КЭО [мкА ]	h21э,h*21э	Cк C*12э [ пФ ]
ГТ308А ГТ308Б ГТ308В ГТ308Г	50 (120) 50 (120) 50 (120) 50 (120)	≤2 (5В) ≤2 (5В) ≤2 (5В) ≤2 (5В)	20...75* (1В;10мА) 50...120 (1В;10мА) 80...200* (1В;10мА) 80...150 (1В;10мА)	≤8 (5В) ≤8 (5В) ≤8 (5В) ≤8 (5В)

Тип прибора	rКЭнас[ Ом ] rБЭ нас [ Ом ] K*у. р. [ дБ ]	Kш [ дБ ] r6 [ Ом ] P*вых [ Вт ]	τк [ пс ] tpac [ нс ] t*выкл [ нс ]	Корпус
ГТ308А ГТ308Б ГТ308В ГТ308Г	≤30 ≤24 ≤24 ≤24	- - ≤8 (1.6Мгц) ≤8 (1.6Мгц)	≤400 ≤1000* ≤400 ≤500

Сайт управляется системой uCoz