Параметры транзисторов

Параметры транзистора ГТ108.

Тип
прибора

Структура

Pкmax
P*к.τ max
P**к.и max
[ мВт ]

fгр, f*h216
f**h21э
f**max
[ МГц ]

Uкбо max
U*КЭR max
U** КЭО max
[ В ]

Uэбо max

[ В ]

ГТ108А
ГТ108Б
ГТ108В
ГТ108Г

p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p

75
75
75
75

0.5*
1
1
1

5
5
5
5

5
5
5
5

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо IКЭR I* КЭО [мкА ]	h21э,h*21э	Cк C*12э [ пФ ]
ГТ108А ГТ108Б ГТ108В ГТ108Г	50 50 50 50	10 (5В) 10 (5В) 10 (5В) 10 (5В)	20...50 (5В;1мА) 35...80 (5В;1мА) 60...130 (5В;1мА) 110...250 (5В;1мА)	50 (50В) 50 (50В) 50 (50В) 50 (50В)

Тип прибора	rКЭнас[ Ом ] rБЭ нас [ Ом ] K*у. р. [ дБ ]	Kш [ дБ ] r6 [ Ом ] P*вых [ Вт ]	τк [ пс ] tpac [ нс ] t*выкл [ нс ]	Корпус
ГТ108А ГТ108Б ГТ108В ГТ108Г	- - - -	- - - -	5000 5000 5000 5000

Сайт управляется системой uCoz