Параметры транзистора ГТ108.

Тип
прибора
Структура Pкmax
P*к.τ max
P**к.и max
[ мВт ]
fгр, f*h216
f**h21э
f**max
[ МГц ]
Uкбо max
U
*КЭR max
U
** КЭО max
[ В ]

Uэбо max

[ В ]

ГТ108А
ГТ108Б
ГТ108В
ГТ108Г

p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p

75
75
75
75

0.5*
1
1
1

5
5
5
5

5
5
5
5



Тип
прибора

IK max
I*K и max
[мА ]

Iкбо
I*КЭR
I** КЭО
[мкА ]

h21э,h*21э

Cк
C*12э
[ пФ ]

ГТ108А
ГТ108Б
ГТ108В
ГТ108Г

50
50
50
50

10 (5В)
10 (5В)
10 (5В)
10 (5В)

20...50 (5В;1мА)
35...80 (5В;1мА)
60...130 (5В;1мА)
110...250 (5В;1мА)

50 (50В)
50 (50В)
50 (50В)
50 (50В)



Тип
прибора

rКЭнас[ Ом ]
r*БЭ нас [ Ом ]
K**у. р. [ дБ ]

Kш [ дБ ]
r*6 [ Ом ]
P**вых [ Вт ]

τк [ пс ]
t*pac [ нс ]
t**выкл [ нс ]

Корпус

ГТ108А
ГТ108Б
ГТ108В
ГТ108Г

-
-
-
-

-
-
-
-

5000
5000
5000
5000

ГТ108

 

 

 

Сайт управляется системой uCoz