Параметры транзисторов

Параметры транзистора ГТ109.

Тип
прибора

Структура

Pкmax
P*к.τ max
P**к.и max
[ мВт ]

fгр, f*h216
f**h21э
f**max
[ МГц ]

Uкбо max
U*КЭR max
U** КЭО max
[ В ]

Uэбо max

[ В ]

ГТ109А
ГТ109Б
ГТ109В
ГТ109Г
ГТ109Д
ГТ109Е
ГТ109Ж
ГТ109И

p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p

30
30
30
30
30
30
30
30

≥1*
≥1*
≥1*
≥1*
≥3*
≥5*
-
≥1*

10 (18имп.)
10 (18имп.)
10 (18имп.)
10 (18имп.)
10 (18имп.)
10 (18имп.)
10 (18имп.)
10 (18имп.)

-
-
-
-
-
-
-
-

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо IКЭR I* КЭО [мкА ]	h21э,h*21э	Cк C*12э [ пФ ]
ГТ109А ГТ109Б ГТ109В ГТ109Г ГТ109Д ГТ109Е ГТ109Ж ГТ109И	20 20 20 20 20 20 20 20	≤5 (5В) ≤5 (5В) ≤5 (5В) ≤5 (5В) ≤2 (1.2В) ≤2 (1.2В) ≤1 (1.5В) ≤5 (5В)	20...50 (5В;1мА) 35...80 (5В;1мА) 60...130 (5В;1мА) 110...250 (5В;1мА) 20...70 (5В;1мА) 50...100 (5В;1мА) ≥100* (1.5В) 20...80 (5В;1мА)	≤30 (5В) ≤30 (5В) ≤30 (5В) ≤30 (5В) ≤40 (1.2В) ≤40 (1.2В) - ≤30 (5В)

Тип прибора	rКЭнас[ Ом ] rБЭ нас [ Ом ] K*у. р. [ дБ ]	Kш [ дБ ] r6 [ Ом ] P*вых [ Вт ]	τк [ пс ] tpac [ нс ] t*выкл [ нс ]	Корпус
ГТ109А ГТ109Б ГТ109В ГТ109Г ГТ109Д ГТ109Е ГТ109Ж ГТ109И	- - - - - - - -	- - - - - - - ≤12 (1кГц)	≤10000 ≤10000 ≤10000 ≤10000 ≤10000 ≤10000 ≤10000 ≤10000

Сайт управляется системой uCoz