Параметры транзисторов

Параметры транзистора ГТ122.

Тип
прибора

Структура

Pкmax
P*к.τ max
P**к.и max
[ мВт ]

fгр, f*h216
f**h21э
f**max
[ МГц ]

Uкбо max
U*КЭR max
U** КЭО max
[ В ]

Uэбо max

[ В ]

ГТ122А
ГТ122Б
ГТ122В
ГТ122Г

n-p-n
n-p-n
n-p-n
n-p-n

150
150
150
150

≥1*
≥1*
≥2*
≥2*

35
20
20
20

-
-
-
-

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо IКЭR I* КЭО [мкА ]	h21э,h*21э	Cк C*12э [ пФ ]
ГТ122А ГТ122Б ГТ122В ГТ122Г	20 (150) 20 (150) 20 (150) 20 (150)	≤20 (5В) ≤20 (5В) ≤20 (5В) ≤20 (5В)	15...45 (5В;1мА) 15...45 (5В;1мА) 30...60 (5В;1мА) 30...60 (5В;1мА)	- - - -

Тип прибора	rКЭнас[ Ом ] rБЭ нас [ Ом ] K*у. р. [ дБ ]	Kш [ дБ ] r6 [ Ом ] P*вых [ Вт ]	τк [ пс ] tpac [ нс ] t*выкл [ нс ]	Корпус
ГТ122А ГТ122Б ГТ122В ГТ122Г	- - - -	200* 200* 200* 200*	- - - -

Сайт управляется системой uCoz