Параметры транзисторов

Параметры транзистора ГТ310.

Тип
прибора

Структура

Pкmax
P*к.τ max
P**к.и max
[ мВт ]

fгр, f*h216
f**h21э
f**max
[ МГц ]

Uкбо max
U*КЭR max
U** КЭО max
[ В ]

Uэбо max

[ В ]

ГТ310А
ГТ310Б
ГТ310В
ГТ310Г
ГТ310Д
ГТ310Е

p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p
p-n-p

20 (35°C)
20 (35°C)
20 (35°C)
20 (35°C)
20 (35°C)
20 (35°C)

≥160
≥160
≥120
≥120
≥80
≥80

12
12
12
12
12
12

-
-
-
-
-
-

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо IКЭR I* КЭО [мкА ]	h21э,h*21э	Cк C*12э [ пФ ]
ГТ310А ГТ310Б ГТ310В ГТ310Г ГТ310Д ГТ310Е	10 10 10 10 10 10	≤5 (5В) ≤5 (5В) ≤5 (5В) ≤5 (5В) ≤5 (5В) ≤5 (5В)	20...70 (5В;1мА) 60...180 (5В;1мА) 20...70 (5В;1мА) 60...180 (5В;1мА) 20...70 (5В;1мА) 60...180 (5В;1мА)	≤4 (5В) ≤4 (5В) ≤5 (5В) ≤5 (5В) ≤5 (5В) ≤5 (5В)

Тип прибора	rКЭнас[ Ом ] rБЭ нас [ Ом ] K*у. р. [ дБ ]	Kш [ дБ ] r6 [ Ом ] P*вых [ Вт ]	τк [ пс ] tpac [ нс ] t*выкл [ нс ]	Корпус
ГТ310А ГТ310Б ГТ310В ГТ310Г ГТ310Д ГТ310Е	- - - - - -	≤3 (1.6 МГц) ≤3 (1.6 МГц) ≤4 (1.6 МГц) ≤4 (1.6 МГц) ≤4 (1.6 МГц) ≤4 (1.6 МГц)	≤300 ≤300 ≤300 ≤300 ≤500 ≤500

Сайт управляется системой uCoz