Параметры транзистора КТ117.

Тип
прибора
Структура Pкmax
P*к.τ max
P**к.и max
[ мВт ]
fгр, f*h216
f**h21э
f**max
[ МГц ]
Uкбо max
U
*КЭR max
U
** КЭО max
[ В ]

Uэбо max

[ В ]

КТ117А
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г

n-база
n-база
n-база
n-база

300
300
300
300

0.2***
0.2***
0.2***
0.2***

30
30
30
30

30
30
30
30



Тип
прибора

IK max
I*K и max
[мА ]

Iкбо
I*КЭR
I** КЭО
[мкА ]

h21э,h*21э

Cк
C*12э
[ пФ ]

КТ117А
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г

50 (1*А)
50 (1*А)
50 (1*А)
50 (1*А)

≤1 (30В)
≤1 (30В)
≤1 (30В)
≤1 (30В)

0.5...0.7 (UБ1Б2=10В)
0.65...0.9 (UБ1Б2=10В)
0.5...0.7 (UБ1Б2=10В)
0.65...0.9 (UБ1Б2=10В)

-
-
-
-



Тип
прибора

rКЭнас[ Ом ]
r*БЭ нас [ Ом ]
K**у. р. [ дБ ]

Kш [ дБ ]
r*6 [ Ом ]
P**вых [ Вт ]

τк [ пс ]
t*pac [ нс ]
t**выкл [ нс ]

Корпус

КТ117А
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г

-
-
-
-

-
-
-
-

-
-
-
-

КТ117

 

 

 

Сайт управляется системой uCoz