Параметры транзисторов

Параметры транзистора МП9,МП10,МП11,МП13.

Тип прибора	Структура	Pкmax Pк.τ max P*к.и max [ мВт ]	fгр, fh216 fh21э f*max [ МГц ]	Uкбо max UКЭR max U* КЭО max [ В ]	Uэбо max [ В ]
МП9А МП10 МП10А МП10Б	n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n	150 150 150 150	≥1* ≥1* ≥1* ≥1*	15 15 30 30	15 15 30 30
МП11 МП11А	n-p-n n-p-n	150 150	≥2* ≥2*	15 15	15 15
МП13 МП13А	p-n-p p-n-p	150 150	≥0.5* ≥1*	15 15	15 15

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо IКЭR I* КЭО [мкА ]	h21э,h*21э	Cк C*12э [ пФ ]
МП9А МП10 МП10А МП10Б	20 (150) 20 (150) 20 (150) 20 (150)	30* (30В) 30* (30В) 30* (30В) 50* (30В)	15...45 (5В;1мА) 15...30 (5В;1мА) 15...30 (5В;1мА) 25...50 (5В;1мА)	≤60 (5В) ≤60 (5В) ≤60 (5В) ≤60 (5В)
МП11 МП11А	20 (150) 20 (150)	30* (30В) 30* (30В)	25...55 (5В;1мА) 45...100 (5В;1мА)	≤60 (5В) ≤60 (5В)
МП13 МП13А	20 (150) 20 (150)	≤30 (15В) ≤30 (15В)	≥12 (5В;1мА) 20...60 (5В;1мА)	≤50 (5В) ≤50 (5В)

Тип прибора	rКЭнас[ Ом ] rБЭ нас [ Ом ] K*у. р. [ дБ ]	Kш [ дБ ] r6 [ Ом ] P*вых [ Вт ]	τк [ пс ] tpac [ нс ] t*выкл [ нс ]	Корпус
МП9А МП10 МП10А МП10Б	- - - -	≤10 (1кГц) ≤10 (1кГц) ≤10 (1кГц) ≤10 (1кГц)	- - - -
МП11 МП11А	- -	≤10 (1кГц) ≤10 (1кГц)	- -
МП13 МП13А	- -	≤150* ≤12 (1кГц)	- -

Сайт управляется системой uCoz